Доклад: Влияние режимов отжига контактных систем Si-Al и Si-Ti-Al на коэффициент усиления n-p-n биполярных транзисторов
                            Докладчик                        
                                        АО ″НПО ″ОРИОН″
                    
                            Соавтор(ы)                        
                                        
                        Антонова В.Е., Родина А.М., Климанов Е.А., Ляликов А.В.                    
                
                            Тип доклада                        
                                        
                            Секция программы                        
                                        
                
                            Дата и время                        
                                        
                        пятница, 07 фев (начало в 10:30)                    
                Видео запись
                            Видео доклада доступно только авторизованным пользователям.
                            
                        
                    Материалы доклада
                                Тезисы
                                
                        
                                    Тезисы не доступны.                                
                            
                                Презентация
                                
                        
                                    У доклада нет презентации.                                
                            Статистика доклада
Статистика просмотров за 2025 год.
Обсуждение доклада
                        Новых тем пока нет
                        
                            Создайте тему для обсуждения, если у вас есть вопросы или предложения по докладу.
        Другие доклады секции: 15    
    
                                    
                                                                                    10:00 | 
                                                    
                        Термодинамические особенности синтеза пленок HgTe/GaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии                    
                                
                            
                    
                    
                                                                                    10:30 | 
                                                    
                        Влияние режимов отжига контактных систем Si-Al и Si-Ti-Al на коэффициент усиления n-p-n биполярных транзисторов                    
                                
                            
                                                                                    11:30 | 
                                                    
                         Перерыв                    
                                
                            
                                                                                    13:00 | 
                                                    
                         Обед                    
                                
                            
                                                                                    15:15 | 
                                                    
                        Перерыв (подсчёт баллов)