ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ РЕЖИМОВ РАДИАЦИОННО-ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ НА ОСНОВЕ ОБЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИМИ ЭЛЕКТРОНАМИ ДЛЯ ПОВЫШЕНИЯ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ СУБМИКРОННЫХ МИКРОСХЕМ (2024)
Исследовано влияние радиационно-термической обработки на характеристики цифроаналогового преобразователя, изготовленного по технологическому процессу на основе комплементарных кремниевых структур металл-оксид-полупроводник с топологической нормой 0,35 мкм. Показано, что после проведения радиационно-термической обработки, включающей облучение электронами с энергией 6 МэВ дозой до 1000 кГр и термический отжиг облученных образцов при температуре 180 ◦ Св течение 2 ч, комплекс электрических параметров цифроаналогового преобразователя сохраняется в рамках технических условий. Реализация режимов радиационно-термической обработки при дозах облучения от 1000 до 3000 кГр приводит к постепенному уменьшению амплитуды напряжения выходного сигнала, увеличению тока утечки и потере работоспособности образцов. Полученные результаты могут быть использованы при разработке технологических процессов создания субмикронных сверхбольших интегральных схем на объемном кремнии с повышенной стойкостью к одиночным радиационным эффектам.
ПОВЫШЕНИЕ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ МИКРОКОНТРОЛЛЕРОВ К ВОЗДЕЙСТВИЮ ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧНЫХ ПРОТОНОВ С ПОМОЩЬЮ РАДИАЦИОННО-ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ (2024)
Исследовано влияние радиационно-термической обработки на радиационную стойкость кремниевого микроконтроллера, изготовленного по технологическому процессу на основе комплементарных кремниевых структур металл-оксид-полупроводник с топологической нормой 0,18 мкм. Показано, что после проведения радиационно-термической обработки, включающей облучение электронами с энергией 6 МэВ дозой до 1000 кГр и последующий термический отжиг при температуре 190◦С в течение 2 ч, комплекс электрических параметров микроконтроллера сохраняется в рамках технических условий. Экспериментально установлено, что после радиационно-термической обработки происходит повышение стойкости микроконтроллера к тиристорному эффекту при воздействии высокоэнергетичных протонов с энергией 22 МэВ и 1000 МэВ, что выражается в уменьшении сечения тиристорного эффекта в 6-10 раз и амплитуды тока ионизационного отклика в 3,5 раза. Также приведены результаты подавления тока инжектированных носителей с помощью радиационной обработки на примере дискретных изделий: солнечных элементов, силовых диодов, оптронов.