Рассмотрены теоретические основы расчета и моделирования электромагнитных и температурных полей, приведена методика экспериментального определения основных параметров этих полей. Содержатся лабораторные работы по исследованию частных видов физических полей: электростатического поля многопроводной линии, электрического поля заземления, температурных полей. Для контроля уровня знаний студентов даны вопросы и задания для самостоятельной работы. Предназначено для студентов высших технических учебных заведений по направлению «Приборостроение», изучающих дисциплины «Основы теории физических полей» и «Электротехника», а также для аспирантов по специальности «Информационно-измерительные и управляющие системы». Пособие подготовлено в рамках основной образовательной программы бакалавров для обеспечения лабораторных работ по дисциплине «Основы теории физических полей», «Теоретические основы электротехники».
Представлены экспериментальные результаты исследования монокристаллического Si (111), легированного хромом. Исследования проводились с использованием метода спектроскопии комбинационного рассеяния света (Рамановская спектроскопия). Обнаружено, что легирование переходных элементов к чистому кремнию приводит к уменьшению интенсивности рамановских пиков в несколько раз, а также к образованию дополнительных пиков на спектрах.
Данное издание разработано в соответствии с требованиями Федерального государственного образовательного стандарта высшего образования по направлению подготовки 03.06.01 Физика и астрономия (уровень подготовки кадров высшей квалификации) направленность 01.04.07 Физика конденсированного состояния и является частью учебно-методического комплекса дисциплины «Физика конденсированного состояния». Учебное пособие раскрывает современные представления о дефектах кристаллической структуры твердых тел, существенно влияющих на их прочность и пластичность.
Приводится краткая историография научных представлений о прочности твер-дых тел. Роль структурных дефектов рассматривается дифференцированно в зависимости от условной категории исследователя, масштаба исследуемых объектов и глубины решаемых задач. Выделена роль внутреннего строения (типа кристаллической решетки, характера межатомного взаимодействия) и его дефектов в формировании свойств кристаллических твердых тел. Представлена кристаллическая структура, геометрические и энергетические характеристики точечных дефектов.
Учебное пособие предназначено для студентов-аспирантов направления подготовки 03.06.01 Физика и астрономия (уровень подготовки кадров высшей квалификации) направленность 01.04.07 Физика конденсированного состояния и может быть полезно научно-педагогическим работникам образовательных организаций, реализующих основные профессиональные образовательные программы бакалавриата и магистратуры укрупненной группы 03.00.00 Физика и астрономия, слушателям кур-сов повышения квалификации и научным работникам, изучающих проблемы физики конденсированного состояния.
Также может быть полезно студентам, обучающимся по направлениям подготовки: 44.04.01 Педагогическое образование направленность (профиль) «Технология»; 43.03.01 Сервис (уровень бакалавриата) профиль «Сервис транспортных средств»; 44.03.01 Педагогическое образование (уровень бакалавриата) профиль «Технология»; 44.03.05 Педагогическое образование (с двумя профилями подготовки) с профилем «Технология».
Изучены процессы токопрохождения в диодных структурах pSi-nSi1-xSnx (0 x 0,04). Из полученных результатов видно, что в исследованных образцах, при малых напряжениях ток подчиняется закону Ома. А при дальнейшем увеличении напряжения начинается рост тока по нелинейному закону. На основе анализа зависимости установлено, что нелинейность обусловлена полевым эффектом Пула-Френкеля. На основе выполненных анализов полученных результатов обоснована перспективность использования твердых растворов Si1-xSnx (0 x 0,04), выращенных на кремниевых подложках, в качестве активного материала в преобразователях тепловой энергии в электрическую энергию на основе термовольтаического эффекта.
Пособие содержит учебно-тренировочные тесты, составленных с учетом реальных вариантов вступительных испытаний, проводимых ВолгГТУ самостоятельно, а также некоторые сведения из физики, знание которых позволит избежать ошибок, обычно допускаемых учащимися при решении задач. Предназначено для абитуриентов, учащихся выпускных классов школ, лицеев, гимназий, колледжей, слушателей факультета довузовской подготовки ВолгГТУ.
Содержит информацию об основных приборах, используемых в лабораторном практикуме, способах измерения величин; также обсуждены основы обработки данных, расчета погрешностей и построения графиков. Предназначено для студентов очно-заочной и заочной форм обучения. Может быть полезно студентам, обучающимся на других направлениях и специальностях.
В учебном пособии изложены физические основы теории оптических изображений, законы геометрической оптики, свойства зеркальных поверхностей, особенности преломления света на сферической поверхности, центрированные оптические системы, назначение и устройство оптических приборов. Содержание учебного пособия соответствует требованиям образовательного стандарта и программы курса «Физические принципы получения оптических изображений» для инженерно-технических специальностей высших учебных заведений. Учебное пособие предназначено для студентов высших учебных заведений, обучающихся по техническим направлениям подготовки и специальностям обучения.
Пособие рекомендуется как основное, формирующее навыки научного стиля речи для иностранных учащихся, обучающихся по техническому профилю. Структурно пособие включает учебные тексты, задания по разделу физики «Механика», а также упражнения лексического и коммуникативного характера. Рассчитано на начальный и средний этап обучения.
Приведены результаты экспериментальных исследований частотных и температурных зависимостей электропроводности монокристаллов MnIn2Se4 в переменном электрическом поле. B MnIn2Se4 изменение электропроводности в зависимости от частоты можно объяснить следующим образом: в монокристаллах существуют кластеры, содержащие локализованные состояния с близкой энергией, и перескок электронов осуществляется между ними. Из температурных зависимостей проводимости определены энергии активации. Проводимость в этих монокристаллах характеризуется зонно-прыжковым механизмом.
Рассмотрено влияние амплитуды электрического потенциала смещения на структурные и функциональные свойства стали 40х13 при высокочастотном азотировании в индуктивно-связанной плазме смеси аргона, водорода и азота. В результате азотирования формируется трёхслойная структура в приповерхностном слое, кристаллическая структура которого зависит от прикладываемого к нему потенциала смещения. Толщина азотируемого слоя и шероховатость поверхности нелинейно зависят от амплитуды потенциала вследствие изменения интенсивности распыления поверхности ионами из плазмы. Износостойкость в условиях сухого трения и коррозионная стойкость стали 40х13 в растворе 3,5 масс. % NaCl повышаются по мере увеличения амплитуды потенциала смещения от -20 до -80 В, о чём свидетельствует снижение скорости износа от 5,010-4 до 4,810-7 мм3/(мН) и плотности тока коррозии от 1,610-9 до 1,710-10 А/см2, соответственно. Полученные результаты могут быть использованы для разработки дуплексной технологии обработки материалов.