РАКЕТНО-КОСМИЧЕСКОЕ ПРИБОРОСТРОЕНИЕ И ИНФОРМАЦИОННЫЕ СИСТЕМЫ

В настоящей статье предложено исследование влияния дестабилизирующих внешних факторов на характеристики фильтров систем связи, синтезируемых на базе многокаскадных конструкций с однородным базисом. В качестве исследуемых характеристик в работе приводятся графики стабильности АЧХ полосового фильтра при изменении рабочей температуры и величины разброса номиналов пассивных компонентов схемы устройства. На основе анализа и исследования характеристикдвух схем фильтров - с отрицательной обратной связью и без нее - проведена оценка повышения стабильности фильтрав частотной области при рассмотренных нестабильностях. Для анализа влияния был осуществлен синтез фильтра Баттерворта восьмого порядка, а также проведен анализ характеристик при помощи пакетов численного моделирования. В ходе исследования показано, что применение однородного базиса в сочетании с обратными связями позволяет достичь значительного снижения температурной нестабильности и влияния разбросов номиналов элементов на центральную частоту и ширину полосы пропускания фильтра. Полученные результаты подтверждают эффективность применения узлов с обратной связью с целью повышения надежности малошумящих приемников сигналов систем космической связи и в других областях, требующих высокой стабильности параметров.

Исследовано влияние радиационно-термической обработки на радиационную стойкость кремниевого микроконтроллера, изготовленного по технологическому процессу на основе комплементарных кремниевых структур металл-оксид-полупроводник с топологической нормой 0,18 мкм. Показано, что после проведения радиационно-термической обработки, включающей облучение электронами с энергией 6 МэВ дозой до 1000 кГр и последующий термический отжиг при температуре 190◦С в течение 2 ч, комплекс электрических параметров микроконтроллера сохраняется в рамках технических условий. Экспериментально установлено, что после радиационно-термической обработки происходит повышение стойкости микроконтроллера к тиристорному эффекту при воздействии высокоэнергетичных протонов с энергией 22 МэВ и 1000 МэВ, что выражается в уменьшении сечения тиристорного эффекта в 6-10 раз и амплитуды тока ионизационного отклика в 3,5 раза. Также приведены результаты подавления тока инжектированных носителей с помощью радиационной обработки на примере дискретных изделий: солнечных элементов, силовых диодов, оптронов.