Множество единиц измерений, используемых на практике и встречающихся в научно-технической и учебной литературе, может быть определенным образом сведено в системы единиц. Научно обоснованная систематизация единиц измерений позволяет установить для каждого раздела физики (механики, электричества, оптики и т.д.) минимальное число единиц, однозначно выражающих все физические величины, рассматриваемые в данной области физики. В главах I и II предлагаемой вниманию читателей книги изложены основные принципы построения физических систем единиц измерений и подробно рассмотрены системы единиц, существующие в механике, акустике, учении о теплоте, учении об электромагнетизме, в области радиоактивности и ионизирующих излучений. Автор основывался при этом на соответствующих государственных стандартах (ГОСТ). Собственно единицы измерений описаны в главе III, где они расположены в алфавитном порядке.
Изложены методы выращивания кристаллов из растворов при атмосферном давлении и умеренной температуре (до 100° С), наиболее доступные и часто применяющиеся в лабораторных условиях. Описаны техническое оснащение кристаллизационной лаборатории, приемы работ, меры борьбы с неоднородностями, возникающими в кристаллах при их росте, подбор оптимальных условий для выращивания и т.д. Второе издание (1-е изд. - 1967) значительно переработано и дополнено новыми материалами как по теории роста кристаллов, так и по методам их выращивания. Для кристаллографов, минералогов, физиков и химиков, связанных с выращиванием и изучением кристаллов. Для всех тех, кто занимается или начинает заниматься выращиванием кристаллов с целью изучения самих кристаллов или процессов их образования.
В справочнике приведены единицы Международной системы (СИ), даны наименования, обозначения, определения и рассмотрены вопросы их практического применения. В книге кратко изложены также другие единицы, применявшиеся ранее. Нормативные материалы приведены по состоянию на 1 января 1984 г.
Для инженерно-технических и научных работников, преподавателей.
Проблема скоростного выращивания больших количеств монокристаллов сегнетовой соли имеет сейчас большое значение в связи со все более и более расширяющимся ее применением в аппаратуре связи. Разработанное в институте НКЭП покрытие для сегнетовых пьезоэлементов, полностью предохраняющее их от вредного воздействия влажности, позволяет чрезвычайно расширить применение пьезоэлементов в полевой аппаратуре связи, а также обеспечивает их использование в бытовых акустических приборах. В связи с этим неизбежно в недалеком будущем многократное увеличение производства кристаллов сегнетовой соли.
Изготовлены образцы металлсодержащих плёнок полиакрилонитрила. Проведён сравнительный анализ характеристик образцов чувствительных элементов на основе металлсодержащего полиакрилонитрила с различными легирующими добавками (медь, серебро, кобальт) к диоксиду азота. Введение легирующей добавки в углеродную матрицу нанокомпозита приводит к уменьшению ширины запрещенной зоны по сравнению с чистым полиакрилонитрилом. Результаты исследования ширины запрещенной зоны позволяют получить материал с заданными проводящими характеристиками металлокомпозита, что, в свою очередь, определяет газочувствительные свойства системы. Изучены процессы адсорбции диоксида азота на поверхности металлсодержащего полиакрилонитрила. Установлено, что увеличение интенсивности ИК-излучения приводит к ухудшению его адсорбционной активности.
Для стоксовой и антистоксовой фононной люминесценции алмаза получены уравнения в аналитическом виде для расчета импульсной (временной) характеристики и полной энергии потерь. Результаты расчетов хорошо согласуются с экспериментом. Исследование 30 образцов ограненных алмазов (бриллиантов) показывает, что полная энергия люминесценции меняется от 0,9 до 1,5 эВ. Меньшими значениями энергии (0,9–1,1 эВ) обладает антистоксовая фононная люминесценция. Дополнительные потери энергии на стадии ее возбуждения можно объяснить преобразованием части квантов возбуждения в кванты люминесценции с большей частотой. Такой подход к анализу бриллиантов возможен только для природных образцов и нельзя использовать для бриллиантов искусственного происхождения.
Изучено влияние УФ-излучения разных длин волн на разрывную прочность пленок полиэтилентерефталата (ПЭТФ) в условиях постоянства поглощенной интенсивности падающего на образец излучения. Установлено влияние времени УФ-облучения на прочность образцов разной толщины в условиях одинаковости дозы облучения независимо от длины волны УФ-излучения. Показано, что эффективность дозы облучения существенно зависит от глубины проникновения УФ-излучения и толщины исследуемого образца. Найдено, что при оценке эффективности действия квантов УФ-излучения разной длины волны необходимо учесть не только дозу поглощенной энергии, но и распределение интенсивности излучения по толщине образца.
В книге в справочной форме впервые приведены результаты систематического исследования вариационных принципов теории упругости и оболочек в соответствии с теорией преобразования вариационных проблем Куранта и Гильберта.
Наряду с систематизацией известных вариационных принципов, книга содержит новые результаты и обобщения. Получены смешанные задачи и их вариационные формулировки.
Изучены свойства функционалов не только с позиций теории Куранта и Гильберта, но и с позиций механики сплошной среды и конструкционной механики. Установлены соотношения варьирования в более общей форме.
Уделяется внимание выявлению конструкционных аналогий. Для многослойных оболочек предложено новое построение, использующее вместо прямых преобразований функцию Коши: закреплена связь с вариационными формулировками задач теории пластичности.
Книга предназначена для специалистов - работников университетов, кафедр теоретической и прикладной механики, инженеров-конструкторов и технологов, работающих в области теории упругости, проектирования оболочек и других конструкций авиационной, машиностроительной и судостроительной техники.
Изучены темновые токи в средневолновых nBn-структурах на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs (013). Пассивация поверхности боковых стенок мезаструктур проводилась путем формирования пленок Al2O3 методом плазменного атомно-слоевого осаждения. Показано, что при составе в барьерном слое, равном 0,84, в nBn-структурах доминирует объемная компонента темнового тока. Энергия активации тока близка к ширине запрещенной зоны поглощающего слоя. Сопоставление экспериментальных результатов с эмпирической моделью Rule07 показало, что в диапазоне температур 180–300 К в изготовленных структурах реализуется диффузионное ограничение темнового тока. Из проведенных исследований следует, что молекулярно-лучевая эпитаксия HgCdTe на альтернативных подложках является перспективным способом создания униполярных барьерных детекторов для спектрального диапазона 3–5 мкм.
Исследована фотоэлектрическая взаимосвязь матричных фотоприемных устройств средневолнового ИК-диапазона форматов 320256 элементов с шагом 30 мкм и 640512 элементов с шагом 15 мкм на основе антимонида индия. Определена зависимость величины взаимосвязи от толщины объемной структуры утоньшенного антимонида индия. Взаимосвязь элементов МФПУ на основе эпитаксиального антимонида индия существенно меньше, чем взаимосвязь на основе объемного антимонида индия.