ПОВЫШЕНИЕ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ МИКРОКОНТРОЛЛЕРОВ К ВОЗДЕЙСТВИЮ ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧНЫХ ПРОТОНОВ С ПОМОЩЬЮ РАДИАЦИОННО-ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ (2024)

Исследовано влияние радиационно-термической обработки на радиационную стойкость кремниевого микроконтроллера, изготовленного по технологическому процессу на основе комплементарных кремниевых структур металл-оксид-полупроводник с топологической нормой 0,18 мкм. Показано, что после проведения радиационно-термической обработки, включающей облучение электронами с энергией 6 МэВ дозой до 1000 кГр и последующий термический отжиг при температуре 190◦С в течение 2 ч, комплекс электрических параметров микроконтроллера сохраняется в рамках технических условий. Экспериментально установлено, что после радиационно-термической обработки происходит повышение стойкости микроконтроллера к тиристорному эффекту при воздействии высокоэнергетичных протонов с энергией 22 МэВ и 1000 МэВ, что выражается в уменьшении сечения тиристорного эффекта в 6-10 раз и амплитуды тока ионизационного отклика в 3,5 раза. Также приведены результаты подавления тока инжектированных носителей с помощью радиационной обработки на примере дискретных изделий: солнечных элементов, силовых диодов, оптронов.

Издание: РАКЕТНО-КОСМИЧЕСКОЕ ПРИБОРОСТРОЕНИЕ И ИНФОРМАЦИОННЫЕ СИСТЕМЫ
Выпуск: Т. 11 № 4 (2024)
Автор(ы): Мещеряков Александр Анатольевич, Дренин Андрей Сергеевич, Сирбаев Р. Ю., Селин Д. С., Лагов Петр Борисович, Павлов Юрий Сергеевич, Иванов Евгений Михайлович, Амерканов Дмитрий Александрович, Кулевой Тимур Вячеславович, Столбунов В. С., Романтеева Елена Петровна, Петров К. К.
Сохранить в закладках
Экспериментальная оценка радиационной стойкости СВЧ-фильтров космического назначения на основе высокоомного кремния (2024)

Представлена экспериментальная оценка характеристик СВЧ-фильтра на основе высокоомного кремния, выполненного по SIW (Substrate Integrated Waveguide)-технологии. Проведена итеративная обработки электронным излучением по разработанному алгоритму. Показана работоспособность фильтра при накопленной дозе 150 Мрад, критическое изменение S-параметров при накопленной дозе 300 Мрад.

Рассчитан коэффициент запаса при эксплуатации СВЧ-фильтра на различных орбитах. Показана возможность применения СВЧ-фильтра на внешних поверхностях космического аппарата без применения дополнительных мер защиты.

Издание: Успехи прикладной физики
Выпуск: Том 12, № 6 (2024)
Автор(ы): Запетляев Валентин Михайлович, Жуков Александр Александрович, Лагов Петр Борисович, Якухин Сергей Дмитриевич
Сохранить в закладках